RDL Plating
特性
‧正型光阻劑
‧耐電鍍液特性佳
‧高解析度
‧高製程寬容度
‧附著性佳
‧可使用多種顯影液：TMAH、KOH、Na2CO3 系列顯影液
‧具良好剝膜性
‧多種黏度可選擇
產品應用
‧此正型光阻劑適用於線路重分布製程(RDLs)，可使用於多種電鍍液，銅Cu/金Au/鎳Ni…等，定義線路圖形。
Wafer bumping
特性
‧正型光阻劑
‧高膜厚對應
‧耐電鍍液特性佳
‧高解析度
‧高製程寬容度
‧附著性佳
‧可使用多種顯影液：TMAH、KOH、Na2CO3 系列顯影液
‧具良好剝膜性
‧多種黏度可選擇
產品應用
‧此正型光阻劑適用於封裝技術的高膜厚電鍍/電鑄製程，可使用於多種電鍍液，銅Cu/金Au/鎳Ni…等，定義線路圖形。
TCP/COF
特性
‧正型光阻劑
‧應用於Reel to Reel
‧成膜後具良好的可饒性
‧耐蝕刻液特性佳
‧高解析度
‧高製程寬容度
‧附著性佳
‧可使用多種顯影液：TMAH、KOH、Na2CO3 系列顯影液
‧具良好剝膜性
‧多種黏度可選擇
產品應用
‧此正型光阻劑適用於軟性基板電路(flexible printed circuit film)捲軸式(Reel to reel)方式生產，可使用於多種蝕刻液，定義線路圖形。
